Diretto
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile



IPD180N10N3GBTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IPD180N10N3GBTMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 43 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 33µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 50 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 33A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 4 903 | IPD180N10N3GATMA1CT-ND | € 1,54000 | Diretto |
| IRFR3710ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2 974 | IRFR3710ZTRLPBFCT-ND | € 2,17000 | Simile |
| IRFR3710ZTRPBF | Infineon Technologies | 13 980 | IRFR3710ZTRPBFCT-ND | € 2,08000 | Simile |
| AOD2910 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2910-ND | € 0,37171 | Simile |
| FDD86102LZ | onsemi | 12 861 | FDD86102LZFSCT-ND | € 2,04000 | Simile |








