IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IPB117N20NFDATMA1
Codice DigiKey	IPB117N20NFDATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB117N20NFDATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB117N20NFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB117N20NFDATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 84 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB117N20NFDATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	84 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,7mohm a 84A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6650 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IPB117

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