Name: IPT025N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT025N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 7.8446 EUR
Availability: InStock

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IPT025N15NM6ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT025N15NM6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT025N15NM6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT025N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT025N15NM6ATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 26A (Ta), 263A (Tc) 3,8W (Ta), 395W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT025N15NM6ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	26A (Ta), 263A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4mohm a 120A, 15V
Vgs(th) max a Id	4V a 275µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	137 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9800 pF @ 75 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 395W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-1
Contenitore/involucro	8-PowerSFN