PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PSMN5R0-80BS,118
Codice DigiKey	1727-PSMN5R0-80BS,118TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN5R0-80BS,118CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN5R0-80BS,118
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 100 A (Tc) 270W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 101 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6793 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 270W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 5,1mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN5R0

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,06260

PSMN5R0-80BS,118