Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 5.6852 EUR
Availability: InStock

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IPB038N12N3GATMA1
Codice DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB038N12N3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB038N12N3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 270µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 211 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13800 pF @ 60 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPB038
RDSon (max) a Id, Vgs 3,8mohm a 100A, 10V