Name: PSMN3R8-100BS,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-7109-2-ND
Price: 5.2338 EUR
Availability: InStock

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PSMN3R8-100BS,118
Codice DigiKey	1727-7109-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7109-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-7109-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN3R8-100BS,118
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 306W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 170 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9900 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 306W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN3R8