Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.0634 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPB021N10NM5LF2ATMA1
Codice DigiKey	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Descrizione	IPB021N10NM5LF2ATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 30A (Ta), 176A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPB021N10NM5LF2ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30A (Ta), 176A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V, 15V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 100A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 280µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	17000 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB