Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 54.8268 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Canale N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-3

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IMCQ120R005M2HXUMA1
Codice DigiKey	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies Americas Corp.
Codice produttore	IMCQ120R005M2HXUMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Tempi di consegna standard del produttore	39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 342A (Tc) 1364W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 138,2A, 18V
Produttore Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) max a Id 5,1V a 43,4mA
Serie CoolSiC™ G2	Carica del gate (Qg) max a Vgs 261 nC @ 18 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9760 pF @ 800 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1364W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 342A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HDSOP-22-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V	Contenitore/involucro Modulo 22-PowerBSOP