
IMBG120R350M1HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG120R350M1HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 4,7 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMBG120R350M1HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 468mohm a 2A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,7V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5.9 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +18V, -15V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 196 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,53000 | € 4,53 |
| 10 | € 3,01900 | € 30,19 |
| 100 | € 2,15750 | € 215,75 |
| 500 | € 2,06802 | € 1 034,01 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,68956 | € 1 689,56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,52660 |






