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IMBG120R234M2HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG120R234M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 39 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 8,1 A (Tc) 80W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 233,9mohm a 3A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,1V a 900µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7.9 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +20V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 1 106
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,00000 | € 4,00 |
| 10 | € 2,64800 | € 26,48 |
| 100 | € 1,87860 | € 187,86 |
| 500 | € 1,75178 | € 875,89 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,44527 | € 1 445,27 |
| 2 000 | € 1,43120 | € 2 862,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,00000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,88000 |
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