


IMBG120R234M2HXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG120R234M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 8,1 A (Tc) 80W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 233,9mohm a 3A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,1V a 900µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 7.9 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +20V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290 pF @ 800 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,19000 | € 4,19 |
| 10 | € 2,77900 | € 27,79 |
| 100 | € 1,97680 | € 197,68 |
| 500 | € 1,86008 | € 930,04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,52449 | € 1 524,49 |
| 2 000 | € 1,51968 | € 3 039,36 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,19000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,11180 |









