Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 2.9768 EUR
Availability: InStock

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IGLR65R200D2XUMA1
Codice DigiKey	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGLR65R200D2XUMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 9,2 A (Tc) 34W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGLR65R200D2XUMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 710µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.26 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 91 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 34W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,2 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 240mOhm a 2,1A