Name: IGLR70R200D2SXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR70R200D2SXUMA1TR-ND
Price: 2.6596 EUR
Availability: InStock

IGLR70R200D2SXUMA1
Codice DigiKey	448-IGLR70R200D2SXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGLR70R200D2SXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGLR70R200D2SXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGLR70R200D2SXUMA1
Descrizione	GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 9,3 A (Tc) 34W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGLR70R200D2SXUMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	700 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	240mOhm a 2,1A
Vgs(th) max a Id	1,6V a 710µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.26 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	91 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	34W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSON-8-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5 000	€ 0,59532	€ 2 976,60
10 000	€ 0,57004	€ 5 700,40

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,18000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,65960

IGLR70R200D2SXUMA1