Name: IGL65R110D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R110D2XUMA1TR-ND
Price: 4.5872 EUR
Availability: InStock

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IGL65R110D2XUMA1
Codice DigiKey	448-IGL65R110D2XUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGL65R110D2XUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGL65R110D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGL65R110D2XUMA1
Descrizione	IGL65R110D2XUMA1
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 16 A (Tc) 59W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TSON-8-U06
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	1,6V a 1,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.4 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	170 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	59W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PG-TSON-8-U06
Contenitore/involucro	8-TDFN piazzola esposta

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,76000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,58720

IGL65R110D2XUMA1