Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 2.013 EUR
Availability: OutOfStock

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BSZ067N06LS3GATMA1
Codice DigiKey	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ067N06LS3GATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ067N06LS3GATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14A (Ta), 79A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,7mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5100 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	BSZ067