Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.6104 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

BSP149H6327XTSA1
Codice DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP149H6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSP149H6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	660mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,8ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 400µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	430 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	BSP149