Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.6958 EUR
Availability: InStock

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BSP149H6327XTSA1
Codice DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSP149H6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP149H6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSP149H6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 660mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT223-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 660mA, 10V	Codice componente base BSP149
Vgs(th) max a Id 1V a 400µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSP149L6327	Rochester Electronics, LLC	1 910	2156-BSP149L6327-ND	€ 0,46745	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)