
BSP149L6327 | |
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Codice DigiKey | 2156-BSP149L6327-ND |
Produttore | |
Codice produttore | BSP149L6327 |
Descrizione | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4-21 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Sfuso | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 0V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,8ohm a 660mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 400µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 14 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 430 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,8W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-SOT223-4-21 | |
Contenitore/involucro |
| Sfuso: | 1910 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 545 | € 0,47097 | € 256,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,47097 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,57458 |


