Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

Codice DigiKey
2156-BSP149L6327-ND
Produttore
Codice produttore
BSP149L6327
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4-21
Scheda tecnica
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
1,8ohm a 660mA, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
1V a 400µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 5 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
430 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,8W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PG-SOT223-4-21
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V, 10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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