
BSP149L6327 | |
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Codice DigiKey | 2156-BSP149L6327-ND |
Produttore | |
Codice produttore | BSP149L6327 |
Descrizione | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N, modalità depletion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4-21 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 660mA, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 1V a 400µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 5 V |
Confezionamento Sfuso | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-SOT223-4-21 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 10V | Contenitore/involucro |
| Sfuso: | 1910 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 545 | € 0,47119 | € 256,80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,47119 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,57485 |

