Name: BSP129H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP129H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0492 EUR
Availability: InStock

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BSP129H6327XTSA1
Codice DigiKey	BSP129H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSP129H6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSP129H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP129H6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 240 V 350mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSP129H6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	240 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	350mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6ohm a 350mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 108µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.7 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	108 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	BSP129

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Nastrato in bobina (TR)