Name: BSP129H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP129H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.0858 EUR
Availability: InStock

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BSP129H6327XTSA1
Codice DigiKey	BSP129H6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSP129H6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSP129H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSP129H6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 240 V 350mA (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSP129H6327XTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.7 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 108 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 240 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 350mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT223-4
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 350mA, 10V	Codice componente base BSP129
Vgs(th) max a Id 1V a 108µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)