Name: BSC120N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC120N03LSGATMA1TR-ND
Price: 0.9394 EUR
Availability: InStock

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BSC120N03LSGATMA1
Codice DigiKey	BSC120N03LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC120N03LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC120N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC120N03LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 12 A (Ta), 39 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-5
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 39 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC120
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 30A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC120N03MSGATMA1	Infineon Technologies	2 489	BSC120N03MSGATMA1CT-ND	€ 0,82000	Simile
CSD17327Q5A	Texas Instruments	1 565	296-CSD17327Q5ACT-ND	€ 1,40000	Simile
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TSM110NB04LCR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	18 875	TSM110NB04LCRRLGCT-ND	€ 1,12000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)