Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
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Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)

CSD17327Q5A

Codice DigiKey
296-CSD17327Q5ATR-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-CSD17327Q5ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-CSD17327Q5ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD17327Q5A
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 65 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD17327Q5A Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs
12,2mohm a 11A, 8V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
506 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-VSONP (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
CSD17327
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,32000€ 1,32
10€ 0,83200€ 8,32
100€ 0,55450€ 55,45
500€ 0,43528€ 217,64
1 000€ 0,39690€ 396,90
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,35536€ 888,40
5 000€ 0,32969€ 1 648,45
7 500€ 0,31661€ 2 374,57
12 500€ 0,31255€ 3 906,88
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,32000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,61040