AUIRFR5410TRL Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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AUIRFR5410TRL
Codice DigiKey	AUIRFR5410TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) AUIRFR5410TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRFR5410TRL
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 13 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 58 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 66W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 205mohm a 7,8A, 10V	Codice componente base AUIRFR5410
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRFR5410TRPBF	Infineon Technologies	14 670	IRFR5410PBFCT-ND	€ 1,59000	Equivalente parametrico
IRFR5410TRRPBF	Infineon Technologies	2 452	448-IRFR5410TRRPBFCT-ND	€ 2,04000	Equivalente parametrico
AUIRFR5410-IR	Rochester Electronics, LLC	1 306	2156-AUIRFR5410-IR-ND	€ 0,96038	Equivalente parametrico

In magazzino: 14

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