Name: RD3P130SPFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P130SPFRATLTR-ND
Price: 2.9158 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

RD3P130SPFRATL
Codice DigiKey	RD3P130SPFRATLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RD3P130SPFRATLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RD3P130SPFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RD3P130SPFRATL
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 13 A (Ta) 20W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RD3P130SPFRATL Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore del fornitore TO-252
RDSon (max) a Id, Vgs 200mohm a 6,5A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA	Codice componente base RD3P130