
IRFD112 | |
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Codice DigiKey | 2156-IRFD112-ND |
Produttore | Harris Corporation |
Codice produttore | IRFD112 |
Descrizione | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Foro passante 4-DIP, Hexdip |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 7 nC @ 10 V |
Confezionamento Sfuso | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 135 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore 4-DIP, Hexdip |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 800mohm a 800mA, 10V |
| Sfuso: | 821 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 550 | € 0,46744 | € 257,09 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,46744 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,57028 |


