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IRFD112

Codice DigiKey
2156-IRFD112-ND
Produttore
Harris Corporation
Codice produttore
IRFD112
Descrizione
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Foro passante 4-DIP, Hexdip
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
135 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
4-DIP, Hexdip
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
800mohm a 800mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 821
Non annullabile/Non restituibile
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Sfuso:821
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Sfuso
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550€ 0,46744€ 257,09
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,46744
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,57028