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IRFD110

Codice DigiKey
2156-IRFD110-ND
Produttore
Harris Corporation
Codice produttore
IRFD110
Descrizione
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Foro passante 4 DIP, Hexdip, HVMDIP
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.3 nC @ 10 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
180 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,3W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
4 DIP, Hexdip, HVMDIP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
540mohm a 600mA, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 0
Non annullabile/Non restituibile
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