Name: ZXMN10A11GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A11GTR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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ZXMN10A11GTA
Codice DigiKey	ZXMN10A11GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN10A11GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN10A11GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	350mohm a 2,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	274 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	ZXMN10

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Nastrato in bobina (TR)