Name: ZXMN10A11GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A11GTR-ND
Price: 1.3786 EUR
Availability: InStock

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ZXMN10A11GTA
Codice DigiKey	ZXMN10A11GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN10A11GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN10A11GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,7 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 274 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 2,6A, 10V	Codice componente base ZXMN10

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJW3N10A_R2_00001	Panjit International Inc.	4 319	3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND	€ 0,47000	Simile
STN2NF10	STMicroelectronics	9 750	497-8023-1-ND	€ 1,44000	Simile

In magazzino: 474

Scorte di fabbrica: 37 000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,13000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,37860

ZXMN10A11GTA