PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. | FET, MOSFET singoli

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PJW3N10A_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJW3N10A_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJW3N10A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJW3N10A_R2_00001
Descrizione	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2,2 A (Ta) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 508 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,2 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 310mohm a 2,2A, 10V	Codice componente base PJW3N10A

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,57340

PJW3N10A_R2_00001