PMT280ENEAX Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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FDD2572

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Canale N 100 V 1,5 A (Ta) 770mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-223

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PMT280ENEAX
Codice DigiKey	1727-2724-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2724-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2724-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMT280ENEAX
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,5 A (Ta) 770mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMT280ENEAX Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 195 pF @ 50 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 770mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,5 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore SOT-223
RDSon (max) a Id, Vgs 385mohm a 1,5A, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA	Codice componente base PMT280

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDD2572	onsemi	856	FDD2572CT-ND	€ 2,63000	Simile

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