Name: DMTH41M8SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH41M8SPSQ-13TR-ND
Price: 3.1354 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMTH41M8SPSQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH41M8SPSQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH41M8SPSQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH41M8SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH41M8SPSQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Tc) 3,03W A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo K)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 79.5 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6968 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,03W
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo K)
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 30A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base DMTH41