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DMTH41M8SPS-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMTH41M8SPS-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH41M8SPS-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 100 A (Tc) 3,03W A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo K) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 79.5 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6968 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,03W |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo K) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH41M8SPSQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH41M8SPSQ-13CT-ND | € 2,57000 | Equivalente parametrico |
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | 19 970 | IPC100N04S51R7ATMA1CT-ND | € 2,33000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,64348 | € 1 608,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,64348 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,78505 |
