Name: DMN2005LP4K-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005LP4KDITR-ND
Price: 0.5002 EUR
Availability: InStock

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DMN2005LP4K-7
Codice DigiKey	DMN2005LP4KDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2005LP4KDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2005LP4KDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2005LP4K-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) max a Id	900mV a 100µA
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	41 pF @ 3 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMN2005

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Nastrato in bobina (TR)