PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale N 20 V 600mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006B-3

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PMZB600UNELYL
Codice DigiKey	1727-7378-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7378-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-7378-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMZB600UNELYL
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 600mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006B-3
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Modelli EDA/CAD	PMZB600UNELYL Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21.3 pF @ 10 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore DFN1006B-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 600mA (Ta)	Contenitore/involucro 3-XFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V	Codice componente base PMZB600
RDSon (max) a Id, Vgs 620mohm a 600mA, 4,5V

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