Canale N 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006-3
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PJQ1906_R1_00201

Codice DigiKey
3757-PJQ1906_R1_00201TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJQ1906_R1_00201
Descrizione
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale DFN1006-3
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
45 pF @ 10 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,2V, 4,5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,2ohm a 300mA, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,04618€ 461,80
20 000€ 0,04450€ 890,00
30 000€ 0,04368€ 1 310,40
50 000€ 0,03181€ 1 590,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,04618
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,05634