Name: DMG1012UW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012UW-7DITR-ND
Price: 0.305 EUR
Availability: InStock

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DMG1012UW-7
Codice DigiKey	DMG1012UW-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG1012UW-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG1012UW-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG1012UW-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 1 A (Ta) 290mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG1012UW-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	450mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	60.67 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	290mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-323
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	DMG1012

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Nastrato in bobina (TR)