


NTJD4105CT1G | |
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Codice DigiKey | NTJD4105CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTJD4105CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTJD4105CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTJD4105CT1G |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 |
Tempi di consegna standard del produttore | 43 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW A montaggio superficiale SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTJD4105CT1G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 3nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 46pF a 20V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 270mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tensione drain/source (Vdss) 20V, 8V | Contenitore del fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 630mA, 775mA | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 375mohm a 630mA, 4,5V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 285 | DMG1016UDW-7DICT-ND | € 0,35000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,36000 | € 0,36 |
| 10 | € 0,22000 | € 2,20 |
| 100 | € 0,13860 | € 13,86 |
| 500 | € 0,10316 | € 51,58 |
| 1 000 | € 0,09170 | € 91,70 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,07206 | € 216,18 |
| 6 000 | € 0,06518 | € 391,08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,36000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,43920 |










