Name: DMG1012T-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMG1012T-13TR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

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DMG1012T-13
Codice DigiKey	31-DMG1012T-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMG1012T-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMG1012T-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG1012T-13
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	630mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	400mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	60.67 pF @ 16 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	280mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-523
Contenitore/involucro	SOT-523
Codice componente base	DMG1012

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Nastrato in bobina (TR)