Name: DMG1012T-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012T-7DITR-ND
Price: 1.1346 EUR
Availability: InStock

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DMG1012T-7
Codice DigiKey	DMG1012T-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG1012T-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG1012T-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG1012T-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.74 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60.67 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 280mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 630mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-523
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-523
RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 600mA, 4,5V	Codice componente base DMG1012

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
PJE8402_R1_00001	Panjit International Inc.	6 913	3757-PJE8402_R1_00001CT-ND	€ 0,28000	Simile
PJE8408_R1_00001	Panjit International Inc.	14 166	3757-PJE8408_R1_00001CT-ND	€ 0,20000	Simile

In magazzino: 197 237

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,13460

DMG1012T-7