Name: DMG1012TQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1012TQ-7DITR-ND
Price: 0.305 EUR
Availability: InStock

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DMG1012TQ-7
Codice DigiKey	DMG1012TQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG1012TQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG1012TQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG1012TQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-523
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.74 nC @ 4.5 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±6V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 60.67 pF @ 16 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 280mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 630mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore del fornitore SOT-523
RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 600mA, 4,5V	Contenitore/involucro SOT-523
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base DMG1012

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMG1012T-13	Diodes Incorporated	11 019	31-DMG1012T-13CT-ND	€ 0,23000	Equivalente parametrico
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	196 957	DMG1012T-7DICT-ND	€ 0,93000	Equivalente parametrico

In magazzino: 645 307

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