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Canale N 1000 V 1,4 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 1000 V 1,4 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R4N100P

Codice DigiKey
IXTY1R4N100P-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY1R4N100P
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1000 V 1,4 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 50µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17.8 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
450 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
63W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
11ohm a 500mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOD2N100Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD2N100-ND€ 0,50506Simile
FQD2N100TMonsemi0FQD2N100TMCT-ND€ 0,00000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,68094
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,05075