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IXTY1R4N100P | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTY1R4N100P-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTY1R4N100P |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1000 V 1,4 A (Tc) 63W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 50µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 17.8 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 450 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 1000 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 11ohm a 500mA, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | € 0,50506 | Simile |
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | € 0,00000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 350 | € 1,68094 | € 588,33 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,68094 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,05075 |



