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AOD2810 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AOD2810-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | AOD2810 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 10,5 A (Ta), 46 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±25V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1871 pF @ 40 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 100W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 20 A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | 2 500 | DMT10H010LK3-13DICT-ND | € 1,89000 | Simile |
| SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | 6 130 | SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND | € 2,26000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,48951 | € 1 223,78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,48951 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,59720 |
