Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 2.7572 EUR
Availability: InStock

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SQD50N10-8M9L_GE3
Codice DigiKey	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQD50N10-8M9L_GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 50 A (Tc) 136W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQD50N10-8M9L_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 70 nC @ 10 V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2950 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 8,9mohm a 15A, 10V	Codice componente base SQD50
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,75720

SQD50N10-8M9L_GE3