Name: DMT10H010LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LK3-13DITR-ND
Price: 2.3058 EUR
Availability: InStock

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DMT10H010LK3-13
Codice DigiKey	DMT10H010LK3-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMT10H010LK3-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMT10H010LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H010LK3-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 68.8 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 53.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2592 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 68.8 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 8,8mohm a 13A, 10V	Codice componente base DMT10