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Canale N 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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AOB470L

Codice DigiKey
AOB470L-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB470L
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 10 A (Ta), 100 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10,2mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5640 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 268W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,71714€ 573,71
1 600€ 0,66360€ 1 061,76
2 400€ 0,63633€ 1 527,19
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Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,71714
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,87491