Name: FDB088N08
Brand: onsemi
SKU: FDB088N08TR-ND
Price: 3.7332 EUR
Availability: InStock

Canale N 75 V 120 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)

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FDB088N08
Codice DigiKey	FDB088N08TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB088N08CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDB088N08
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 120 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDB088N08 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,8mohm a 75A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6595 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	FDB088

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