Serie QSiC™ di MOSFET SiC Gen3 da 1200 V

Il MOSFET di terza generazione in carburo di silicio (SiC) da 1200 V QSiC di SemiQ è progettato per applicazioni ad alta tensione che richiedono maggiore efficienza, formato compatto e prestazioni termiche. Più piccolo di circa 20% rispetto alla generazione precedente, riduce le perdite di commutazione e supporta il funzionamento oltre i 1400 V. Ideale per le stazioni di ricarica dei veicoli elettrici, gli inverter solari, i sistemi di energia rinnovabile, gli alimentatori industriali, i driver per motori e il riscaldamento a induzione, questo dispositivo contribuisce a ridurre l'ingombro dei sistemi migliorando la densità di potenza e l'affidabilità.

Disponibile in contenitori die nudo, SOT-227, TSPak e TO-247-4L, il MOSFET SiC Gen3 offre agli ingegneri una grande flessibilità in una vasta gamma di progetti di potenza. Grazie alle comprovate prestazioni del SiC e alla struttura rinforzata, supporta un'elettronica di potenza efficiente e di prossima generazione sia nel settore industriale che in quello delle energie rinnovabili.