Name: GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T016A120H-ND
Price: 13.5664 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

GP3T016A120H
Codice DigiKey	1560-GP3T016A120H-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GP3T016A120H
Descrizione	GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 132 A (Tc) 484W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SemiQ
Serie	QSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	132 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	260 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6779 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	484W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 38

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 11,12000	€ 11,12
10	€ 7,76000	€ 77,60
100	€ 5,86570	€ 586,57
500	€ 5,52768	€ 2 763,84

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.