Name: GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T020A120H-ND
Price: 12.3952 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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GP3T020A120H
Codice DigiKey	1560-GP3T020A120H-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GP3T020A120H
Descrizione	GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 115 A (Tc) 429W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SemiQ
Serie	QSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	115 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 40A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 20mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	234 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6078 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	429W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 10,16000	€ 10,16
10	€ 7,05200	€ 70,52
100	€ 5,30040	€ 530,04
500	€ 4,91230	€ 2 456,15

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