onsemi

Portafoglio completo di MOSFET

Storia di innovazione e leadership tecnologica di onsemi

Immagine del portafoglio completo di MOSFET di Fairchildonsemi ha inventato il MOSFET trench negli anni Novanta. Da allora ha perfezionato la tecnologia MOSFET e la produzione per sviluppare un ampio portafoglio di migliaia di prodotti per qualsiasi applicazione. I MOSFET di onsemi offrono le migliori prestazioni del settore, un'alta FOM (cifra di merito) e compatibilità di piedinatura per la facilità d'uso. I progettisti continuano a scegliere i MOSFET di onsemi per l'alta qualità e affidabilità, il supporto alla progettazione e la disponibilità costante.

Bassa tensione: <30 V Media tensione: 30 ~ 250 V Alta tensione: >250 ~ 1700 V
La più ampia gamma di MOSFET a canale N e P a bassa tensione per varie applicazioni, tra cui conversione c.c./c.c., sostituzione a caldo e commutazione del carico. I MOSFET a media tensione offrono basse oscillazioni del nodo di commutazione abilitate dall'avanzato processo trench con la tecnologia di gate schermato. La famiglia di onsemi di MOSFET ad alta tensione di supergiunzione planari trench è progettata per l'alta efficienza e robustezza.
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Perché scegliere i FET di onsemi

  • Le soluzioni di erogazione di potenza fanno parte della proposta centrale di onsemi, azienda che da oltre 50 anni continua a fornire semiconduttori di potenza leader.
  • Un MOSFET combinato con IP gate driver crea soluzioni ottimizzate per le applicazioni che riducono al minimo le perdite di conversione e di conduzione associate con un sistema complessivo.
  • La possibilità di abbinare vari MOSFET, controller e IP driver PWM con avanzate capacità di elaborazione e confezionamento ottimizza la scelta dei componenti.
  • I MOSFET di onsemi offrono eccellente affidabilità di progettazione dalla riduzione dei picchi di tensione e della sovraelongazione, a una minore capacitanza di giunzione e carica di recupero inverso, fino all'eliminazione dei componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione più a lungo.

Featured Low Voltage MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFNFDMS7650MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN5392 - Immediatamente$3.03Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 47A POWER56FDMS7650DCMOSFET N-CH 30V 47A POWER568111 - Immediatamente$2.99Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33FDMC8010MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER333537 - Immediatamente$2.14Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFNFDMS7656ASMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN1000 - Immediatamente$2.15Vedi i dettagli

Featured Mid Voltage MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFNFDMS86101MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN28724 - Immediatamente$2.57Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56FDMS86101DCMOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL5612609 - Immediatamente$4.53Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFNFDMS86101AMOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN2284 - Immediatamente$3.56Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFNFDMS86200MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN25045 - Immediatamente$2.84Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56FDMS86200DCMOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL5622 - Immediatamente$4.70Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3FDP075N15A-F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-31115 - Immediatamente$4.08Vedi i dettagli

Featured High Voltage MOSFETs

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3FCH041N60EMOSFET N-CH 600V 77A TO247-3733 - Immediatamente
99900 - Scorte di fabbrica		$12.51Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3FCH072N60FMOSFET N-CH 600V 52A TO247-319332 - Immediatamente$8.66Vedi i dettagli
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3FCH072N60F-F085MOSFET N-CH 600V 52A TO247-30 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FFCPF400N80ZL1MOSFET N-CH 800V 11A TO220F0 - ImmediatamenteSee Page for PricingVedi i dettagli
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FFCPF400N80ZMOSFET N-CH 800V 11A TO220F1082 - Immediatamente$4.22Vedi i dettagli
Data di pubblicazione: 2016-02-11

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