Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 3.4648 EUR
Availability: InStock

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FDMS86200
Codice DigiKey	FDMS86200TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86200CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86200
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 9,6 A (Ta), 35 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86200 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	150 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9,6 A (Ta), 35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 9,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2715 pF @ 75 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS86