VideoLibrary

Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

Toshiba's 650 and 1,200 volt 3rd Generation Silicon Carbide technology is designed for high-efficiency power supply applications. Packaged in the industry standard three-lead TO-247 package, the Silicon Carbide MOSETs are specially designed for high powered industrial applications such as 400 and 800 volts AC for power supplies, photovoltaic inverters, and bi-directional DC-to-DC converters for uninterruptible power supplies. These MOSFETs help to reduce power consumption and improve power density with a higher voltage, faster switching, and lower On-resistance. The 650 V products feature an input capacitance of 4,850 picofarads, a low gate-input charge of 128 nanocoulombs, and a drain-to-source On-resistance of just 15milliohms. The 1200 V products feature an input capacitance of 6000 picofarads, a low gate-input charge of 158 nanocoulombs, and a drain-to-source On-resistance of just 15milliohms.

11/22/2022 6:29:07 PM

Part List

ImmagineCodice produttoreDescrizioneQuantità disponibilePrezzoVedi i dettagli
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOHTW015N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH39 - Immediatamente$51.48Vedi i dettagli
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOHTW027N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH16 - Immediatamente$23.57Vedi i dettagli
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MOTW107N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO30 - Immediatamente$10.25Vedi i dettagli
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140MTW140N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M12 - Immediatamente$11.65Vedi i dettagli
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MOTW060N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO39 - Immediatamente$19.83Vedi i dettagli
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MOTW045N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO51 - Immediatamente$24.41Vedi i dettagli
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MOTW030N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 30MO40 - Immediatamente$32.90Vedi i dettagli
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MOTW015N120C,S1FG3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO51 - Immediatamente$66.83Vedi i dettagli
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOHTW083N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH112 - Immediatamente$14.06Vedi i dettagli
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOHTW048N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH24 - Immediatamente$17.01Vedi i dettagli

Related Product Highlight

MOSFET al carburo di silicio di terza generazione da 650 V e 1.200 V La tecnologia SiC da 650 V e 1.200 V di Toshiba è ideale per applicazioni di alimentazione ad alta efficienza.
Soluzione di inverter di motori c.a. brushless da 400 V La soluzione di inverter di motori c.a. brushless da 400 V di Toshiba utilizza MOSFET SiC allo stato dell'arte per fornire maggiori livelli di efficienza rispetto ai dispositivi IGBT ad alte tensioni.

Related Articles and Blogs

I semiconduttori ad ampio bandgap stanno ridefinendo il settore dei trasporti L'intero settore dei trasporti sta subendo una trasformazione radicale con soluzioni per auto elettriche e ibride e trasporti di massa meno inquinanti.
Semiconduttori ad ampio bandgap per applicazioni aerospaziali e satellitari I semiconduttori ad ampio bandgap offrono diversi vantaggi nella conversione di potenza, come l'aumento della densità di potenza e dell'efficienza e la riduzione delle dimensioni e del peso del sistema.
Come utilizzare i MOSFET SiC di terza generazione in progetti di potenza per prestazioni ed efficienza più elevate I MOSFET al carburo di silicio offrono molteplici vantaggi rispetto ai dispositivi al solo silicio; i dispositivi di terza generazione superano le carenze dei prodotti precedenti.