Canale N 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Foro passante TO-247
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Canale N 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Foro passante TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

Codice DigiKey
264-TW048N65CS1F-ND
Produttore
Codice produttore
TW048N65C,S1F
Descrizione
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 40 A (Tc) 132W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 1,6mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
41 nC @ 18 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
+25V, -10V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1362 pF @ 400 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
132W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
175°C
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-247
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
65mOhm a 20A, 18V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 18,46000€ 18,46
30€ 11,61333€ 348,40
120€ 10,11608€ 1 213,93
510€ 9,78553€ 4 990,62
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 18,46000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 22,52120